National Laboratory of Solid State Microstructures Department of Physics Nanjing University, Nanjing, 210093, China;
hydrogenated amorphous silicon; hydrogen plasma annealing; structural ordering;
机译:尾态联合密度法研究氢化非晶碳化硅薄膜的室温光致发光光谱及其在等离子体沉积氢化非晶碳化硅薄膜中的应用
机译:沉积后氩气或氢等离子体处理后非晶硅薄膜界面结构的结构表征
机译:退火对在不对称射频中沉积的氢化非晶硅薄膜的电,光学和结构性能的影响。室温下的等离子CVD系统
机译:非晶硅薄膜在氢后等离子体退火引起的结构中排序
机译:沉积条件对氢化非晶硅和硅锗合金(太阳能电池,薄膜晶体管)的结构,光电和器件性能的影响。
机译:通过快速热退火工艺增强氢化非晶碳化硅薄膜的光致发光
机译:压力和射频功率对等离子体沉积氢化非晶硅薄膜沉积速率和结构性能的影响
机译:离子镀技术制备氢化非晶硅薄膜和薄膜太阳能电池的制备与表征。最终报告,1979年1月1日至1980年5月31日