Div of Materials and Chemical Engineering, Hanyang University, Ansan, 426-791, Korea;
机译:Cu CMP中硅片表面氧化铝浆料的附着与去除
机译:STI和Poly Si CMP中晶片表面的二氧化硅和二氧化铈颗粒的粘附和去除
机译:STI和Poly Si CMP中晶片表面的二氧化硅和二氧化铈颗粒的粘附和去除
机译:Cu CMP期间焊盘颗粒对晶片表面的粘附性
机译:基于统计分析和基于传感器的用于半导体应用的铜覆盖晶片的电化学机械抛光(ECMP)建模。
机译:晶圆级Cu-Cu热压键合的表面预处理方法研究
机译:晶圆边缘轮廓对STI-CMP工艺性能的影响:基于FEM分析计算的晶片表面压力(机器元件,设计和制造)
机译:sam涂层半导体晶片上的蛋白质附着力:疏水性与亲水性表面