Central RD -Non Volatile Memory Technology Development STMicroelectronics Via C. Olivetti 2, 20041 Agrate Brianza (MI) -Italy;
机译:浮栅非易失性存储器中栅极电容耦合系数的提取:虚拟单元提取方法中浮栅存储器与参考晶体管失配影响的统计研究
机译:NAND闪存技术的未来前景-从浮栅到电荷陷阱再到3D堆叠的演变
机译:高级浮栅非易失性存储器中栅极耦合和栅极交叉干扰的3D仿真研究
机译:非易失性记忆技术:浮栅概念演变
机译:用于非易失性浮栅和电阻开关存储应用的金属氧化物电介质的研究。
机译:使用石墨烯浮置的非易失性可调太赫兹超材料吸收器
机译:采用宏观极化堆栈的高速和非易失性存储器件,由与工程隧道氧化物阻挡层相互连接的双浮动栅极组成