Department of Innovative and Engineered Materials, Tokyo Institute of Technology G1-32, 4259 Nagatsuta-cho, Midori-ku, Yokohama 226-8502, JAPAN;
机译:液体输送金属有机化学气相沉积法沉积Pb(Zr,Ti)O_3薄膜的台阶覆盖率提高
机译:液体输送金属有机化学气相沉积法制备非晶膜上铂底电极上取向Pb(Zr,Ti)O_3薄膜的形成机理
机译:脉冲金属有机化学气相沉积在(111)Ir / TiO_2 / SiO_2 / Si和(111)Pt / TiO_2 / SiO_2 / Si衬底上制备的Pb(Zr,Ti)O_3薄膜的电学性质对膜厚的依赖性
机译:通过金属有机化学气相沉积在亚微米三维沟槽结构上制备PB(Zr,Ti)O_3电容器的步进覆盖和组成
机译:晶格匹配的III-V / IV组半导体异质结构:金属有机化学气相沉积和远程等离子体增强化学气相沉积。
机译:Inn量子点和纳米结构的金属化学化学气相沉积
机译:新型单固体源金属有机化学气相沉积法制备pbTiO {sub 3}和pb(Zr {sub x} Ti {sub 1 {minus} x})O {sub 3}薄膜
机译:新型单固体源金属有机化学气相沉积法制备pbTiO {sub 3}和pb(Zr {sub x} Ti {sub 1 {minus} x})O {sub 3}薄膜