Swiss Federal Institute of Technology Lausanne (EPFL), Dept. of Materials Science, LTP, CH-1015 Lausanne, SWITZERLAND;
机译:铁沉积在轻掺杂衬底制备的n型和p型多孔硅上的电化学比较研究
机译:电化学局部无掩模微/纳米级沉积,溶解和金属和半导体的氧化(审查)
机译:金属催化电化学刻蚀在低电阻率p型c-Si衬底上形成大孔硅
机译:纳米级电化学沉积金属敏化P型硅
机译:树枝状聚合物的图案化和在树枝状聚合物介导的氧化硅上的金属薄膜的电化学沉积。
机译:硅通过调节P型重金属ATP酶水稻低硅基因和内源性植物激素来缓解重金属胁迫
机译:P型硅上各种贵金属的照明调节电沉积
机译:用于下一代电化学电容器的碳纳米金属氧化物的氧化还原沉积