Fujitsu/Toshiba/Winbond DRAM development project Semiconductor Company, Toshiba Corporation, Shinsugita-cho 8, Isogo-ku, Yokohama 235-8522, Japan;
机译:用于32 nm互补金属氧化物半导体器件的具有乙硼烷还原钨原子层沉积法的低电阻成核层的新型接触插拔工艺
机译:简短注意:可压缩粘弹性介质的维度减少方法。 I. Kelvin-Voigt固体的无摩擦正常接触
机译:简短注意:可压缩粘弹性介质的维度减少方法。 II。 毫无摩擦的正常接触,用于任意剪切和散装流变学
机译:W多种多种和接触插头之间的晶须发起的短路减少
机译:使用静态混合器改进用于减少微生物的臭氧接触器的设计。
机译:测试不同的威慑物作为野猪联系人短期减少的候选者 - 试点研究
机译:短期多金属污染对土壤细菌群落结构的累积影响
机译:T-By Tray:用于交叉流动柱的活塞流,低压降,高效接触装置。中试规模设备的传质和水力性能试验报告。