Process Integration, Chartered Silicon Partner Pte Ltd 60 Woodlands Ind. Park D, Street 2, 738406, Singapore;
机译:衰老和热退火对PECVD生长氢化非晶碳氮化膜的振动和微观结构性能的影响
机译:使用二氯硅烷和氨气混合物通过PECVD沉积的低温低氢含量氮化硅薄膜
机译:低温氮化硅膜对氢化非晶硅薄膜晶体管电性能的影响
机译:PECVD和RTCVD氮化硅薄膜氢浓度分析,对装置性能的影响
机译:用RBS,ERDA和CARS测定脉冲PECVD氮化硅薄膜中的氢。
机译:光诱导降解对性能的影响结薄膜硅基光电化学水分解技术设备
机译:PECVD氮化硅薄膜的性能研究
机译:用ECR-pECVD技术高效生长水解非晶硅锗薄膜和器件