Department of Materials Science and Engineering, National Chiao Tung University,Hsinchu, Taiwan, R.O.C,Sino-American Silicon Products Inc., Hsinchu, Taiwan, R.O.C.;
Sino-American Silicon Products Inc., Hsinchu, Taiwan, R.O.C.;
Department of Materials Science and Engineering, National Chiao Tung University,Hsinchu, Taiwan, R.O.C.;
机译:高性能基于GaN的发光二极管的蓝宝石衬底处理:蓝宝石衬底的微图案化及其对基于GaN的发光二极管中光增强的影响
机译:具有修改的顶部尖端圆锥形状的图案化蓝宝石衬底上制造的InGaN发光二极管的性能
机译:采用改进的顶尖锥形,在图案化的蓝宝石基板上制造的IngaN发光二极管的性能
机译:改进的图案蓝宝石表面改进了GaN的发光二极管的增强性能
机译:光学功能性表面,用于高光提取和控制氮化镓铟/氮化镓发光二极管的发光模式
机译:蓝宝石衬底上具有反应性等离子体沉积AlN成核层的GaN基紫外发光二极管的效率提高
机译:采用改进的顶尖锥形,在图案化的蓝宝石基板上制造的IngaN发光二极管的性能