首页> 外文会议>Solid-State Circuits Conference Digest of Technical Papers (ISSCC), 2012 IEEE International >A 15mW 3.6GS/s CT-ΔΣ ADC with 36MHz bandwidth and 83dB DR in 90nm CMOS
【24h】

A 15mW 3.6GS/s CT-ΔΣ ADC with 36MHz bandwidth and 83dB DR in 90nm CMOS

机译:在90nm CMOS中具有36MHz带宽和83dB DR的15mW 3.6GS / sCT-ΔΣADC

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摘要

We propose design techniques that enable the realization of power-efficient single-bit CT-ΔΣ ADCs at multi-Gb/s speeds. An FIR DAC [1 ] is used to reduce sensitivity to clock jitter and relax loop filter linearity. A mostly analog path compensates the modulator for the delay introduced by the FIR DAC. The CTDSM samples at 3.6GS/S, has 83dB DR in 36MHz BW, and occupies 0.12mm2 in 90nm CMOS. Dissipating 15mW from a 1.2V supply, it thereby achieves an FoMSNDR of 72.8fJ/level, which is an improvement over the state of the art for converters with bandwidths greater than 20MHz.
机译:我们提出了一些设计技术,这些技术能够以多Gb / s的速度实现高能效的一位CT-ΔΣADC。 FIR DAC [1]用于降低对时钟抖动的灵敏度并放松环路滤波器的线性度。大部分为模拟的路径会补偿调制器的FIR DAC引入的延迟。 CTDSM采样率为3.6GS / S,在36MHz带宽下具有83dB的DR,在90nm CMOS上占0.12mm2。从1.2V电源消耗15mW的功率,从而实现了72.8fJ / level的FoM SNDR ,这是对带宽大于20MHz的转换器的最新改进。

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