Laboratory for Terascale and Terahertz Electronics, 900 University Ave, Riverside, CA, USA 92521;
Laboratory for Terascale and Terahertz Electronics, 900 University Ave, Riverside, CA, USA 92521;
Titanium dioxide; doping; bandgap; electronic structure;
机译:第一个原理计算光电和磁性的掺杂和(Co,Al)共掺杂ZnO
机译:通过共掺杂Ti_(0.5)TMI_(0.25)TMII_(0.25)NiSn的Ti位上的过渡金属增强TiNiSn的热电性能:第一性原理研究
机译:IIIB过渡金属对HoMnO3光电和磁性能的影响:第一个原理研究
机译:第一个原理计算的(硫,过渡金属)共掺杂TiO_2的光电性能研究
机译:过渡金属氧化物簇的电子和光学性能研究的第一原理研究
机译:通过第一性原理计算双钙钛矿Bi2BBO6(BB= 3d过渡金属)中双交换相互作用引起的半金属性能
机译:表面等离子体共振应用过渡金属光学性质的第一种原理