Institute of Physics, AS CR, Na Slovance 2, 18221, Praha 8, Czech Republic,V.E. Lashkaryov Institute of semiconductor physics, NASU, pr. Nauky 45, 03028, Kiev, Ukraine;
V.E. Lashkaryov Institute of semiconductor physics, NASU, pr. Nauky 45, 03028, Kiev, Ukraine;
A.F. Ioffe Physical Technical Institute, RAS, Polytechnicheskaya 26, 194021 St. Petersburg, Russia;
Institute of Experimental Physics Ⅱ, Leipzig University, D-04103, Linnestrasse 5, Leipzig, Germany;
Nitrogen donors; 4H SiC; ENDOR;
机译:脉冲ENDOR和TRIPLE ENDOR光谱研究4H SiC中氮供体的超超精细相互作用。
机译:脉冲ENDOR和TRIPLE ENDOR光谱研究6H SiC中氮供体的电子结构。
机译:EPR,ESE和脉冲ENDOR研究富碳条件下生长的15R SiC中的氮供体
机译:通过脉冲内或三重终端光谱研究氮供体在4H SiC中的超过阴浓度相互作用
机译:用endor对硅中浅层施主杂质进行调查。
机译:低温还原/ EPR / ENDOR光谱研究近端半胱氨酸氢键相互作用在细胞色素P450 2B4中的作用
机译:VO2 +抑制氮酶活性的结构依据:(a)与核心光谱鉴定的硝酸酶Fe蛋白核苷酸结合位点的31p和23na相互作用