ONERA, Chemin de la Huniere, 91761 Palaiseau- France;
rnInstitut d'Electronique du Sud, UMR-CNRS 5214- Universite Montpellier 2, 34095 Montpellier-France;
rnCEA/LETI, 17 rue des Martyrs, 38004-France;
rnInstitut d'Electronique du Sud, UMR-CNRS 5214- Universite Montpellier 2, 34095 Montpellier-France;
rnInstitut d'Electronique du Sud, UMR-CNRS 5214- Universite Montpellier 2, 34095 Montpellier-France;
rnONERA, Chemin de la Huniere, 91761 Palaiseau- France;
InAs/GaSb superlattice; infrared detector; dark current; noise;
机译:中空南部噪声和暗电流相关性 - Ⅱ超晶型IR检测器中的1 / F噪声和暗电流相关性
机译:在中波红外域中工作的InAs / GaSb超晶格光电二极管的暗电流和噪声测量
机译:在中波红外域中工作的InAs / GaSb超晶格光电二极管的暗电流和噪声测量
机译:INAS / GASB超晶格检测器中的暗电流和噪声测量
机译:InAs / GaSb和基于InAs / InAsSb II型超晶格的红外器件的暗电流抑制,光学性能改进和高频操作
机译:高性能阳极硫化 - 预处理门控P + -IN-M-N + INAS / GASB超晶格长波长红外探测器
机译:INAS / GASB超晶格中电导率变化对光电导长波长红外探测器低频噪声的影响
机译:基于Inas / Gasb的nBn mWIR探测器的低温噪声测量。