Centro Universitario da FEI, Av. Humberto de Alencar Castelo Branco, no 3972, 09850-901 - Sao Bernardo do Campo - Brazil;
Laboratorio de Sistemas Integraveis, Escola Politecnica da Universidade de Sao Paulo, Av. Prof. Luciano Gualberto, trav. 3 no 158, 05;
机译:使用梯度沟道SOI nMOSFET的运算跨导放大器的增益改善
机译:1- / spl mu / m SOI CMOS运算跨导放大器的电势和建模,适用于高达1 GHz的应用
机译:具有增强的跨导的0.5 V高增益两级运算放大器
机译:使用0.5 PM等级通道SOI NMOSFET在Gigahertz范围内使用0.5 PM等级通道SOI NMOSFET改进的运行跨导放大器增益的潜力
机译:千兆赫应用的运算跨导放大器
机译:增益控制电流跟随器跨导放大器的Gm实现
机译:采用0.15 µm完全耗尽型绝缘体上硅(FDSOI)工艺的0.5 µW亚阈值运算跨导放大器