Max Planck Institute of Microstructure Physics, Weinberg 2, 06120 Halle, Germany;
机译:室温粘合硅在绝缘体晶片上,具有通过退火的沉积硅氧化层和表面活化粘合而形成的致密掩埋氧化物层
机译:硅全晶片键合与原子层沉积的二氧化钛和氧化铝中间膜
机译:绝缘体上金刚石晶片与热氧化物生长的硅晶片的等离子体激活直接键合
机译:沉积和热氧化硅键合的比较研究
机译:研究热生长和远端PECVD沉积的二氧化硅薄膜中的局部原子结构和热历史。
机译:在热生长的二氧化硅上沉积纳米柱优先取向的PSZT薄膜
机译:硅片上等离子体增强化学气相沉积氧化硅膜的微桥测试