Department of Electrical and Electronic Engineering, Naval Research Laboratory 4555 Overlook, S.W. Washington, D.C., 20375;
机译:使用UV / O_3活化的InP-Al_2O_3-Si的均质晶片键合
机译:使用UV / O_3激活的INP-AL_2O_3-SI的均匀芯片到晶片键合
机译:纳米级表面形貌对紫外线激活的低温直接晶圆键合工艺的影响
机译:紫外线活化处理的疏水性晶圆键合
机译:表面活化增强了低温硅晶圆键合。
机译:金膜厚度和表面粗糙度对室温晶圆键合和金-金表面活化键合的晶圆级真空密封的影响
机译:憎水晶圆键合的紫外活化处理