CeO_xを挿入した MIMキャパシタの静電容量の過

机译：插入CeO_x的MIM电容器的电容过大

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ICに大きな駆動電流が流れると，IC自体が持つインピーダンスやインダクタンスによって電圧降下やノイズが発生する恐れがあるため，デカップリングキャパシタ(Decap)を取り付けて緩和をさせる必要がある [1]．これまでHfO_2を用いた高容量密度を有するDecapの報告があるが[2]，更に高い誘電率材料を用いる必要がある．本研究では比誘電率28を有するCeO_x膜を用いた金属/絶縁膜/金属(MIM)キャパシタの作製と評価を行ったところ，容量の過渡的な変化を確認したので報告する．

机译：当大的驱动电流流过IC时，由于IC本身的阻抗和电感会导致电压降和噪声，因此有必要安装去耦电容器（Decap）来减轻它的负担[1]。使用HfO_2 [2]的Decap具有高电容密度的报道，但是有必要使用介电常数更高的材料。在这项研究中，我们使用相对介电常数为28的CeO_x膜制作并评估了金属/绝缘膜/金属（MIM）电容器，并确认了电容的瞬态变化。

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来源
《2018年第79回応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集》|2018年|08.078|共1页
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久恒和也; 星井拓也; 宗田伊理也; 若林整; 筒井一生; 角嶋邦之;
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CeO_xを挿入した MIMキャパシタ の静電容量の 過

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