Graduate School of Engineering, University of Tokyo, 4-6-1 Komaba, Meguro-ku, Tokyo 153-8904, Japan;
机译:n型Bi-Te和p型Sb-Te纳米线组成的微热电器件的制备工艺和发电特性
机译:具有平面内平面结构的纳米结构p型Bi0.5Sb1.5Te3和n型Bi2Te3薄膜热电能量发生器的热电表征和制备
机译:铜或卤化铜掺杂的n型Bi-Te热电材料的老化保护
机译:用于热电发电的P型和N型BI_2TE_3 / PBTE功能梯度材料
机译:纳米结构N型硅锗散装材料的热电性研究
机译:环保型p型Cu2SnS3热电材料:晶体结构和传输性能
机译:由蒸发的p型SB-TE和N型Bi-TE薄膜组成的平面内热电传感器的制造工艺和感测特性
机译:热压n型siGe / Gap和p型siGe / B热电材料的优化