Key Laboratory of Semiconductor Materials Science, Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences, P.O. Box 912, Beijing, 100083, People's Republic of China;
polarized photoluminescence; temperature-dependent photoluminescence; InAs quantum wires; InP;
机译:单个InAs / InP(001)量子点中约1.5μm的激子和双激子的微光致发光
机译:在邻域(001)InP衬底上生长的自组装InAs量子岛的光学各向异性和光致发光温度依赖性
机译:INP(001)上INAS量子线的偏振光致发光和温度依赖性光致发光研究
机译:锑化铟的光致发光,磁光致发光和时间分辨光致发光研究。
机译:不同厚度InGaAs / InAlAs / InP单量子阱界面涨落效应的光致发光研究
机译:纤锌矿InP / InAs / InP核-多壳纳米线的偏振光致发光