Device Technology, RWTH Aachen University, Sommerfeldstr. 24, 52074 Aachen, Germany;
Device Technology, RWTH Aachen University, Sommerfeldstr. 24, 52074 Aachen, Germany;
Institute of Semiconductor Electronics, RWTH Aachen University, Sommerfeldstr. 24, 52074 Aachen, Germany;
Institute of Semiconductor Electronics, RWTH Aachen University, Sommerfeldstr. 24, 52074 Aachen, Germany;
Device Technology, RWTH Aachen University, Sommerfeldstr. 24, 52074 Aachen, Germany, AIXTRON SE, Kaiserstr. 98, 52134 Herzogenrath, Germany;
Device Technology, RWTH Aachen University, Sommerfeldstr. 24, 52074 Aachen, Germany;
Device Technology, RWTH Aachen University, Sommerfeldstr. 24, 52074 Aachen, Germany;
机译:退火温度和时间对并五苯效率的影响:PTCDI有机太阳能电池
机译:在有源和空穴传输层中利用氧化石墨烯的高性能有机太阳能电池
机译:金纳米粒子在缓冲层中改善的有机太阳能电池的结构,光吸收和性能
机译:OVPD参数对利用五价/ PTCDI吸收层的有机太阳能电池性能的影响
机译:前缓冲层对柔性硫化镉/碲化镉太阳能电池性能的影响。
机译:化学p型掺杂的活性有机半导体对花青/ C60双层太阳能电池膜厚度和性能趋势的影响
机译:退火温度和时间对并五苯:pTCDI有机太阳能电池效率的影响