机译:使用衰减相移掩模的I线光刻技术对半微米以下的接触孔
机译:衰减相移掩模,用于缓解极端紫外光刻中接触孔图案中的光子散粒噪声效应
机译:衬底温度对193 nm光致抗蚀剂变形和自对准接触孔蚀刻性能的影响
机译:具有减毒相移掩模的接触孔性能的I-LINE光致抗蚀剂评估
机译:i-line和DUV光刻胶的光刻性能及其在先进集成电路技术中的应用。对苯二甲酸二辛酯(5-)作为细胞外空间标记物和NMR移位试剂,用于定量测定组织。人工湿地中铬(IV)的化学性质。
机译:标准掩模版幻灯片可客观评估成像质谱中的空间分辨率和仪器性能
机译:光致抗蚀剂的高通量接触孔分辨率度量:全工艺敏感性研究