ASML, De Run 1110, 5503 LA Veldhoven, The Netherlands;
STMicroelectronics, 850 Rue Jean Monnet 38920 CROLLES FRANCE;
机译:通过ArF_i中的吸收体优化和极紫外光刻技术减轻掩模的三维诱导相效应
机译:高层建筑风致振动减压的基于过程的参数优化
机译:由具有最佳弹性模量的聚氨酯丙烯酸酯制成的共形相位掩模,用于3D纳米图案
机译:面罩3D诱导相位和减轻吸收器优化
机译:EUV掩模技术的主要挑战:光化掩模检测和掩模3D效果。
机译:宽速度范围的多普勒光学微血管造影使用带有相位差掩模的优化步进扫描协议
机译:极端紫外线的减毒相移掩模:它们是否可以减轻三维掩模效果?