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Influence of Pulsed Electromagnetic Fields Upon Integral Memory Microcircuit

机译:脉冲电磁场​​对集成存储器微电路的影响

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摘要

The experimental study method of the direct influence by pulsed electromagnetic fields on modern microcircuits of the memories is described. The field values, under which the malfunction in the microcircuits working and degradation phenomena in microstruc
机译:描述了由脉冲电磁场​​直接影响现代存储器微电路的实验研究方法。场值,在该值下,微电路会发生故障,并且微结构会出现退化现象

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