首页> 外文会议>誘電·絶縁材料研究会 >直流GIS絶縁スぺーサにおける表面帯電の温度依存性
【24h】

直流GIS絶縁スぺーサにおける表面帯電の温度依存性

机译:直流GIS绝缘间隔件表面充电的温度依赖性

获取原文

摘要

直流ガス絶縁開閉装置(DC-GIS)では絶縁スぺーサ上に表面帯電が発生し,絶縁破壊電圧が低下すると指摘されている。直流用電力機器を設計する上では帯電の影響を踏まえて絶縁性能を考える必要があるが,絶縁体の帯電のメカニズムには未解明な部分が多い。機器の絶縁性能を向上させるためには帯電現象の解明が必須となる。これまでに絶縁スぺーサの表面帯電は様々な実験系,実験条件で測定が行われてきた。そして実験結果をまとめることで,表面帯電の極性や分布は電界強度によって分類できることが分かつてきた。さらに表面帯電の解析モデルの開発が進められ,実験結果との一致や,電界温度依存性の予測などが報告されてきた。
机译:指出了一种直流气体绝缘开关设备(DC-GIS),在绝缘空间上产生表面充电,并且介电击穿电压降低。 为了设计直流电源装置,有必要基于充电的影响来考虑绝缘性能,但是绝缘体的充电机构中存在许多不可突出的部件。 为了提高装置的绝缘性能,阐明充电现象是必不可少的。 到目前为止,在各种实验系统和实验条件下已经测量了绝缘间隔物的表面充电。 并通过结合实验结果,已知表面充电的极性和分布可以通过电场强度进行分类。 此外,已经提出了表面充电的分析模型的发展,并报道了与实验结果的匹配和电场温度依赖的预测。

著录项

相似文献

  • 外文文献
  • 中文文献
  • 专利
获取原文

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号