机译:具有堆叠高k栅极电介质的小尺寸GaAs nMOSFET的阈值电压模型
机译:低于1 nm的EOT缩放比例,适用于高k /金属栅堆叠
机译:使用非晶硅原位钝化在GaAs和InGaAs上的高k栅极堆叠
机译:一种新的硅烷 - 氨表面钝化技术,用于实现具有160nm栅极长度和高质量金属栅/高k介电叠层的转换型表面通道GaAs N-MOSFET
机译:通过原子层沉积进行金属栅/高k电介质堆叠工程:材料问题和电性能。
机译:栅堆叠结构和工艺缺陷对32 nm工艺节点PMOSFET中NBTI可靠性的高k介电依赖性的影响
机译:远程库仑和界面粗糙度散射对具有高k堆叠栅极电介质的InGaAs nMOSFET电子迁移率的影响