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Monolithic GaN Power IC Technology Drives Wide Bandgap Adoption

机译:单片GaN电源IC技术驱动宽带隙采用

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摘要

Gallium Nitride power integrated circuits are ramping into high volume and showing unprecedented efficiency, density, and system cost advantages. The technology delivers a complement of scalable devices with models, and a full suite of verification tools. Innovative circuit designs enable complex functions without the benefit of CMOS, bipolars, or diodes.
机译:氮化镓功率集成电路升高到大容量,并显示出前所未有的效率,密度和系统成本优势。该技术可提供带有型号的可扩展设备,以及一系列全套验证工具。创新的电路设计使得复杂的功能无需CMOS,Bipolar或二极管的益处。

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