Logic gates; Gallium arsenide; Silicon; Tin; Annealing; Capacitance;
机译:种子层对栅极 - 全面的栅极聚-Si纳米线负电容FET的影响,MFMIS结构:平面电容器到3-D FET
机译:具有内部栅极具有种子层且无金属后退火工艺的堆叠式栅极全能多晶硅纳米线负电容FET的实验演示
机译:具有铁电HfO2的全栅纳米线负电容FET的I-on / I-off比增强和可扩展性
机译:具有种子层和无PMA工艺的5nm×12.5nm多晶硅纳米线栅极全能负电容FET的MFMIS和MFIS性能增强的实验演示
机译:负电容作为隧道FET和MOSFET的性能助推器:实验研究