MOSFET; semiconductor technology; CMOSFET; aggressively reduced silicide position; carbon cluster; gate edge; order junction leakage reduction; silicide interface; size 26 nm; source-drain extension structure;
机译:具有单硅化物肖特基源极/漏极的高/金属栅极全耗尽SOI CMOS,栅极长度低于30nm
机译:N沟道FinFET,栅极长度为25 nm,肖特基势垒源极和漏极采用硅化Y
机译:Si_(1-x)C_x结构的通道应变测量:栅极长度,源极/漏极长度和源极/漏极高程的影响
机译:26nm栅极长度CMOSFET通过使用碳簇共注入源/排水延长结构积极地降低硅化物位置
机译:低于100nm CMOS和低于70nm完全自对准双栅极CMOS的钨/硅锗/硅凸起单源/漏极的设计,制造和表征
机译:栅极长度与漏极-源极距离之比对AlGaN / AlN / GaN异质结构场效应晶体管中电子迁移率的影响
机译:使用Ni-V在硼簇上的硼簇植入源/漏极用于纳米级CMOSFET的衍生稳定性