random-access storage; switching circuits; VCPA; bipolar switching mode; ultra-high density nonvolatile memory applications; unipolar switching mode; vertical cross-point architecture; vertical cross-point resistance change memory; RRAM; ReRAM; Resistance change memory; vertical cross- point; vertically defined cell;
机译:用于高耐用性非易失性存储应用的密度变化小的相变存储器的系统材料设计
机译:用于相变存储器的系统材料设计,具有小密度变化的高耐久性非易失性存储器应用
机译:用于低功率和高密度交叉点阵列应用的基于SiO2的Si3N4内嵌式SiO2的电阻存储器的调谐隧道势垒
机译:用于超高密度非易失性存储器应用的垂直交叉点电阻变化存储器
机译:用于超高密度,低功耗非易失性存储应用的高性能金属氧化物半导体器件的技术突破
机译:Al2O3膜的尺寸和厚度对Cu柱的影响以及3D交叉点存储应用的电阻开关特性
机译:ULTALIN(& 10nm)Nb
机译:非易失性,高密度,高速,micromagnet-Hall效应随机存取存储器(mHRam)