poly-Si; nanofilm; piezoresistive effect; tunnel effect; piezoresistive model; gauge factor; film thickness; grain boundary; grain size; microstructure;
机译:阳极形成条件和氧化银(I)纳米膜的厚度对其半导体性能的影响
机译:金属纳米膜-半导体界面对纳米膜表面性能的影响:CO-Yb-Si(111)系统
机译:等离子体增强的化学气相沉积多Si层厚度对包装的影响及双托管(隧道氧化钝化接触)太阳能电池的量子效率
机译:厚度对多晶硅纳米薄膜压阻性能的影响
机译:膜厚和堆积顺序对钙钛矿氧化物双层磁性的影响
机译:样品厚度对使用SHPB获得Al6061-T6材料性能的影响由FEM验证
机译:p型和n型多晶硅层厚度和掺杂浓度对基于碳纤维的太阳能电池效率的影响