Device Geometry; Contact Characteristics; OFETs;
机译:Au顶部接触电极的空穴注入势垒不可重现的根源及其对顶部接触有机场效应晶体管中器件性能的影响
机译:来自AU顶部接触电极的空穴注入屏障的IRREPRODUICIACIAL的起源及其对顶部触点有机场效应晶体管中的器件性能的影响
机译:软蚀刻铜和银电极,可显着提高器件性能,从而简化了成本低廉的底部接触有机场效应晶体管
机译:器件几何形状对有机场效应晶体管接触特性的影响
机译:分析低压p型,新材料n型和双通道有机场效应晶体管的器件特性。
机译:由于有机场效应晶体管中的栅极接触而导致的迁移率高估
机译:有机场效应晶体管:微米级器件中电流特性的3D动力学蒙特卡洛模拟