首页> 外文会议>ITG/Gesellschaft Mikroelektronik, Mikro- und Feinwerktechnik-Fachtagung, Entwicklung von Analogschaltungen mit CAE-Methoden >Ein integrierter Sensor zur Positionsbestimmung weit entfernter Lichtquellen auf SOI-Basis
【24h】

Ein integrierter Sensor zur Positionsbestimmung weit entfernter Lichtquellen auf SOI-Basis

机译:SOI基地上远程光源的位置测定集成传感器

获取原文

摘要

Integrierte optische Sensoren nutzen ublicherweise einen pn-Ubergang zur Detektion optischer Signale. Zusatzliche optische Komponenten sind in integrationstechnischen Standards aufgrund der hohen Kosten typischerweise nicht enthalten. In diesem Beitrag wird ein Konzept vorgestellt, dass es ermoglicht, den Einfallswinkel weit entfernter Lichtquellen relativ zur Chip Oberflache bzw. relativ zum Koordinatensystem der integrierten Struktur zu bestimmen. Das Prinzip macht sich sowohl die Topologie der Metallschichten und deren Lichtundurchlassigkeit, als auch die Lichtdurchlassigkeit von SiO_2 und die Lichtsensitivitat des pn-Ubergangs zunutze. Die Implementierung des Konzeptes ist in SOI CMOS Technologie besonders einfach. Mit geringen Modifikationen ist es jedoch auch in anderen Integrationstechnologien umsetzbar.
机译:集成光学传感器通常使用PN过渡到光信号的检测。 由于高成本,附加光学组件通常不包括在整合技术标准中。 在这一贡献中,将介绍一个概念,允许相对于芯片表面或相对于集成结构的坐标系确定远程光源的入射角。 该原理是金属层的拓扑层及其光无动力,以及SiO_2的光通道和PN转变的光敏性。 在SOI CMOS技术中,该概念的实施特别容易。 然而,通过低修改,它也可以在其他集成技术中可实现。

著录项

相似文献

  • 外文文献
  • 中文文献
  • 专利
获取原文

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号