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【24h】

アナログニューロン回路とシナプス素子による時系列学習のための駆動方法の検討

机译:模拟神经元电路和突触装置时间序列学习的驱动方法检查

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摘要

人工知能(AI)に特化したハードウェア開発において、ニューラルネットワーク(NeuralNetwork; NN)を脳模倣型の回路と素子を用いて構築する技術、いわゆるニューロモルフィック技術が注目されている 。我々はこれまでに比較器と抵抗シナプス素子から成るスタティックなアナログニューロン回路を考案し、CMOS 集積回路で10 mW 程度の低消費電力で動作するアナログ積和演算および2μs 程度以下の高速な発火動作を実証してきた 。また抵抗シナプス素子としてTiN/MgO/WO_x およびTiN/MgO/Si の2種類の金属酸化物系メモリスティブ素子を開発し、明瞭なアナログ抵抗変化とスパイク時間差依存可塑性(Spike-Timing Dependent Plasticity; STDP)と、ダイオード効果を伴うnA オーダーの低電流動作を報告してきた 。さらに、アナログニューロン回路を再帰的NN として用い、抵抗シナプス素子をSTDP で学習させるNN システムを提案した 。
机译:人工智能专业化硬件开发的神经网络(神经网络)(AI)网络; NN)使用脑模拟电路和使用元素的装置,所谓的神经形态技术手术引起了注意力。我们曾经做过静态由比较器和电阻突触装置组成模拟以设计模拟神经元电路,并在CMOS集成电路中低功耗为约10 MW已经证明了棉絮操作和大约2μs的高速射击操作。还有电阻突触装置开发两种类型的锡/ MgO / WO_X和TIN / MGO / SI的金属氧化物存储器流装置,透明的模拟电阻变化和尖峰时间差可塑性(STDP)和二极管效果的NA秩序的低电流操作我报道了。此外,模拟神经元使用电路作为递归Nn,电阻突触装置我们提出了一个NN系统来学习STDP。

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