ナノ結晶シリコンを正孔選択性コンタクトに用いたヘテロ接合太陽電池の高性能化：ナノ結晶薄膜の成長とセル特性の関係

摘要

Si ヘテロ接合(SHJ)太陽電池の高効率化に向けて、ドープ層のa-Si:H をnc-Si:H に置換えることで受光面の寄生光吸収ロスを低減する試みが様々な研究機関から報告されているが[1]、特にボロンドープ(p)nc-Si:H の最適膜厚は(p)a-Si:H よりも厚くなる傾向にあり、高い水準で従来を上回る性能が得られるかについては明らかにされていない。本研究では、(i)a-Si:H パッシベーション層上における(p)nc-Si:H（5-40 nm）の成長や正孔輸送の評価を行い、太陽電池特性の支配因子を調査した。また、産総研で作製するSHJ 太陽電池において(p)nc-Si:H の最適化を検討し、(p)a-Si:H を用いた参照試料との性能比較を行った。