机译:通过ECR等离子溅射形成的HfN栅绝缘体的电学特性
机译:Si表面粗糙度对ECR等离子溅射形成的HfON栅绝缘体电特性的影响
机译:Si表面粗糙度对ECR等离子体溅射形成的HfON栅绝缘体电学特性的影响
机译:Si表面取向依赖于ECR等离子溅射形成的亚0.5nm eot的HFN栅极绝缘体的电特性
机译:紧凑的栅极电容和栅极电流建模,可用于超薄(EOT〜1 nm及以下)二氧化硅和高kappa栅极电介质。
机译:等离子体增强原子层沉积法原位形成SiO2中间层的HfO2 / Ge叠层的界面电和能带对准特性
机译:Si表面粗糙度对MOSFET特性的影响,通过ECR等离子溅射形成超薄HFON门绝缘子