偏光顕微ラマン分光法による単結晶シリコンカーバイド(4H-SiC)のひずみ/応力成分評価手法の開発

摘要

シリコンカーバイド(SiC)は，シリコンと比較して高い電子物性と材料特性を有するため，電気自動車のモータ用のィンバータとして期待されている.その優れた特性から車載用シリコンインバータと比較してSiCインバータは小型化かつ高温環境下で使用できる.しかし，シリコンと比較して結晶欠陥密度が高いことが問題視されており，性能向上のためにウェハの結晶品質向上が求められている.さらに，高温環境下で使用するため，パヮーモジユーノレを構成する材料間の線膨張係数の違いからひずみ/応力が発生し，信頼牲や性能が低下する.これらの問題から，SiC中のひずみ/応力成分を定量的に評価する手法が必要とされている.