たわみ分布測定値を入力とした逆問題解析によるシリコンウェハの残留応力推定

摘要

スマートフ才ンなどの電子基盤にシリコンウェハが使用されている.シリコンウェハとは純度のケィ素で形成されている物質で，シリコンの単結晶を薄い円板にしたものである.シリコンウェハは製造過程において,表裏の温度差や，研削の際に生じる表面加工層の影響などから残留応力が発生する.この残留応力は,反りや剥離を引き起こしてしまう事から，製品に不備が生じる.製品の一例として，SiP手法による半導体デバイスが举げられる.この手法は5?6層程度に50μm程度の極薄チップを積層させるものであり，非常に微細であることから，寸法精度が求められている.以上の理由から，シリコンウェハの残留応力がどの程度発生しているか，検討することが重要である.