デバイス構造制御によるランダム積層グラフェンデバイスの輸送特性の評価

摘要

ランダム積層グラフェンは、多層構造でありながら単層グラフェン由来の線形バンドが保持されると考えられ注目されている。多層構造由来の高伝導度と線形バンド由来の高移動度を両立するランダム積層グラフェンFET が、単層CVD グラフェンを複数回基板上に転写することによって簡便に作製できることが報告されている。本研究では、5 種類のグラフェンFET を作製し電流電圧特性を比較することによって、ランダム積層グラフェンFET の輸送特性を解明することを目的とする。