中温GaN 層上InGaN 多重量子井戸構造におけるV ピット近傍のポテンシャル障壁の顕微分光評価(2)

摘要

InGaN 多重量子井戸(MQW)構造において、貫通転位上のVピットにおけるQWの薄膜化が「キャリアの拡散を阻害するポテンシャル障壁」を形成するとのモデルが提案されている[1]。我々は、Vピット拡張層として中温成長されたGaN(MTGaN)層およびInGaN超格子(SL)層を用いて、InGaN/GaN MQW構造におけるポテンシャル障壁の空間分布を評価し、ポテンシャル障壁高さとVピット直径の関係を議論してきた。今回、広い範囲で膜厚を変化させたMTGaN層上に作製されたInGaN/GaN MQW構造について、近接場光学顕微分光(SNOM-PL)測定を用いて暗点近傍の発光空間分布を評価したので報告する。