放射光ナノビームX 線回折による窒化物半導体HEMT デバイスにおける圧電応答局所格子変形ダイナミクスの観測

摘要

AlGaN/GaN 系電子素子のドレイン端ゲート直下の局所領域において、圧電効果が誘起する格子欠陥形成が問題視されている。圧電効果による欠陥形成の機構の理解とその制御のためには、素子動作条件下における局所圧電ダイナミクスの計測が不可欠である。我々はこれまでに、SPring-8 のBL13XU におけるナノビームX 線回折（nanoXRD）光学系とポンプ-プローブ法を用いた局所格子変形ダイナミクス測定系の開発を進めている。本研究では、AlGaN/GaN 系高電子移動度トランジスタ（HEMT）におけるゲート電圧印加下の圧電効果による格子変形ダイナミクスをナノ秒スケールで測定し、その場定量評価した結果について報告する。