孤立単層カーボンナノチューブ上への窒化ホウ素層及び二硫化モリブデン層の合成と分析

摘要

単層カーボンナノチューブ（SWCNT）はナノメートルオーダーの小ささとキャリア移動度の高さからナノエレクトロニクスへの応用が期待される．窒化ホウ素(BN)は厚さ約0.35 nmの原子層物質で絶縁体である一方，二硫化モリブデン(MoS_2)は厚さ約0.7 nmの原子層物質で半導体である．近年，二次元物質の積層構造による物性制御の研究が注目されている．Xiang らは SWCNT フィルムを用いてチューブ状のMoS2/BN/SWCNT積層構造を合成した．本研究では，孤立した架橋SWCNTの周囲にBN層を合成し，さらにMoS_2層を合成する手法を新たに確立することを目的とする．