Pd/Ni_（80）Fe_(20)二層試料の機械的ひずみ下における 逆スピンホール効果特性

摘要

最近、スピン流の生成や検出が比較的容易になり[1,2]、従来とは異なる動作原理を持つスピンデバイスへの応用が期待されている。一方で近年のデバイスの小型化、軽量化への需要に伴い、フレキシブル基板の使用例[3,4]が増大しており、デバイス化において、基板が変形しても素子の動作を保証する必要がある。しかし、強磁性薄膜はひずみによりその磁気異方性が変化するので[3]、スピン流の生成、検出に影響を与えることが懸念される。よって本研究の目的は、ひずみを印加した強磁性薄膜にスピンポンピングを励起し、生成されるスピン流由来の起電力を観測し、その特性評価を行うことである。