分子イオン注入エピウェーハの製品特性（４）: フラッシュランプ熱処理による注入欠陥の結晶性回復挙動解析

摘要

我々は，CMOSイメージセンサの高性能化のため炭素クラスターイオン注入技術による近接ゲッタリング技術の開発をおこなってきた．炭素クラスターイオン注入エピタキシャルウェーハは，重金属に対する高いゲッタリング能力と，基板酸素のデバイス活性領域への外方拡散抑制効果，さらに注入領域に捕獲された水素による界面準位等に対するパッシベーション効果の3つの特徴を有している1)．これらの特徴は注入ドーズ量の増加により向上することが報告されてきた2)．しかしながら，高ドーズ注入条件では，注入レンジ中にアモルファス層が形成され，表層近傍の結晶性が低下するためにエピタキシャル欠陥が発生する．エピタキシャル欠陥の低減のためには回復熱処理が必要となるが，従来の縦型炉や急速急冷熱処理炉(Rapid Thermal Anneal : RTA)ではアモルファス層の再結晶化時に欠陥が形成される3)．本報告では，ミリセカンドの極短時間熱処理が可能なフラッシュランプアニール（Flash lamp anneal : FLA）に着目し，アモルファス層の再結晶化にFLAが与える影響の解析をおこなったので報告する．