Salphen 金属錯体を用いた薄膜トランジスタの作製と特性

摘要

我々はこれまで常磁性金属イオンを中心金属にもつTTF-金属錯体を用いて有機薄膜トランジスタ (OTFT)を作製し、移動度は低いもののFET 特性の発現に成功している。OTFT において、FET 特性の向上には分子間相互作用を高めることが有効であり、そのためには平面性の高い分子を用いる必要がある。