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マイクロ引き下げ法の新展開:高吸湿性ハロゲン化物、難加工性合金、三次元形状制御

机译:微调方法的新开发:高吸湿卤化物,清洗机制合金,三维形状控制

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摘要

マイクロ引き下げ(μ-D)法は、坩堝内部の溶融原料を坩堝底部の穴から引き下げることでファィバー状の単結晶を育成する手法であり、他の結晶育成法に比べて高速な結晶成長が可能であることから単結晶材料の探索手法としての利用が行われてきた。さらに、坩堝底部の形状によって結晶育成中の固液界面形状を制御できることから、角柱状や板状などの形状制御した単結晶の育成も行われてきた。我々もこれまでμ-PD法を用いた機能性単結晶材料の開発において、特にシンチレータ材料ゃ圧電材料の分野で、その高速結晶成長を利用した高特性材料の開発に貢献してきた。その材料開発の中で、μ-PD法の更なる応用展開を目的とした育成手法の様々な改良を行ってきており、従来のμ-PD法では結晶育成が困難であった吸湿性の高いハロゲン化物単結晶、高融点で難加工性を有する金属?合金材料の線材結晶、そして三次元的に複雑な構造を有する形状制御単結晶の結晶育成に成功してきた。
机译:微下拉(MU-d)方法是培养Faiba通过降低从坩埚底部的孔的内坩埚的熔融材料成形单晶的技术,实现了快速的晶体生长与其他的晶体生长方法中使用的相比,作为单晶材料的搜索技术,是由它制成的。而且,因为它可以通过坩埚底部的形状控制晶体生长过程中的固 - 液界面的形状,单晶形状控制的生长,如棱柱形或板形也已作出。我们在其中,尤其是在闪烁体材料雅压电材料的领域中,已经到使用快速晶体生长高性能材料的开发作出了贡献用于MU-PD的方法官能单晶材料的发展。间的材料的开发已在育种针对MU-PD的方法的进一步的应用和开发技术进行了各种改进,吸湿性晶体生长是难以用常规MU-PD的方法卤化物单晶,导线金属的晶体?具有较少的可加工性的合金材料通过高熔点并且具有成功的晶体生长形状控制单晶具有三维复杂的结构。

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