多機能走査型プローブ顕微鏡によるトレンチSiC-MOSFETの評価パワーデバイス用結晶の評価(ⅩⅩⅧ)

摘要

高性能パワーデバイスとしてシリコンパワーデバイスの性能向上が、継続的かつ精力的に行われてきた。その結果、シリコンとして引き出せる限界に近づいている。そのため高性能パワーデバイスとして、近年シリコンカーバイド(SiC)が注目され、デバイスが製造されている。そこで我々は、様々なパワーデバイスの多機能走査型プローブ顕微鏡による評価を行っている。今回はトレンチSiC-MOSFETの評価を行ったので報告する。