Design and thermal analysis of a high-power frequency doubler at 160 GHz

机译：160 GHz高功率倍增器的设计与热分析

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This paper presents the design and thermal analysis of a high-power Schottky diode frequency doubler at 160 GHz. The design is capable of achieving ~10% 3 dB bandwidth with a peak conversion efficiency of ~25% for an input power of 100 mW at 295 K. Thermal characterization of the design includes modelling and measurement of the power dissipation in the discrete diode under different temperatures. The results obtained from the experiments have been validated by a physics-based electro-thermal simulator for Schottky diodes.

机译：本文介绍了160 GHz高功率肖特基二极管倍频器的设计和热分析。该设计能够实现〜10×％3dB带宽，峰值转换效率为〜25 ％，在295 k下输入功率为100mW的输入功率。设计的热表征包括模拟和测量离散的电力耗散不同温度下的二极管。从实验中获得的结果已经通过用于肖特基二极管的物理基电热模拟器验证。

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来源
《IEEE MTTS International Microwave and RF Conference》|2016年|1 v.|共3页
会议地点
作者
Colin Viegas; Byron Alderman; Carlos G. Pérez-Moreno; Jeff Powell; Christopher I. Duff; Rob Sloan;
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作者单位

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会议组织
原文格式 PDF
正文语种
中图分类微波与超高频技术;
关键词
Schottky diodes; Temperature measurement; Frequency measurement; Anodes; Thermal analysis; Power generation; Substrates;

机译：肖特基二极管;温度测量;频率测量;阳极;热分析;发电;基板;

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