機械的処理によるグラフェン被覆 Si3N4柱状粒子の調製

摘要

我々はこれまでに、Si3N4 セラミックスの高熱伝導率化を目的として、超電導磁石を用いた回転磁 場中成形法により c軸配向 Si3N4セラミックスの作製を行ってきた。しかし、超電導磁石の利用は空間的制約 から大量生産が難しいことが課題であった。これを解決して、低磁場かつ静磁場で c軸配向 Si3N4セラミック スを実現するためには、配向の起源となる種粒子の磁気的特性を大きく変化させることが必要である。そこ で本研究では、粒成長の起点となる種結晶に巨大反磁性を示すグラフェンを機械的処理で複合化させたグラ フェン被覆 Si N 柱状粒子を調製することを目的とした。