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ドロップチューブプロセスを用いた InSb 単結晶微粒子生成に対する融液温度と凝固時間の影響

机译:液滴工艺对熔体温度和凝固时间对INSB单晶细颗粒形成的影响

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摘要

我々は前回の大会において,ドロップチューブプロセスを用いたInSb微粒子の単結晶化に対するFe添加の有効性について報告した1).しかし,本プロセスによるIII-V族化合物半導体InSb 2元微粒子の単結晶生成条件については未解明である.また,ドロップチューブ実験では落下中の凝固時間の精密計測ができないという問題を有する.本研究は,InSb 2元融液の落下前の融液温度および凝固時間と微細構造の関係について調査し, InSb単結晶微粒子生成の支配因子について検討することを目的とした.
机译:我们报道了在最后锦标赛中使用下落管过程的Fe添加对INSB颗粒的单结晶的有效性。 然而,通过该过程的III-V型化合物半导体INSB 2 - 源极细颗粒的单晶形成条件未清除。 另外,在滴管实验中,存在无法执行凝固时间的精度测量的问题。 本研究研究了INSB 2主熔体下降前熔体温度和凝固时间和微观结构之间的关系,并研究了INSB单晶细颗粒生产的控制因子。

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