Surrounding gate MOSFET; Random dopant fluctuation; Threshold voltage variation; SRAM; Static noise margin;
机译:随机掺杂物波动效应对环绕栅MOSFET的影响:从原子水平仿真到电路性能评估
机译:考虑随机掺杂波动的纳米MOSFET器件和电流镜电路的模型和性能
机译:在存在随机离散掺杂剂和随机界面陷阱的情况下,16nm栅极高k /金属栅极MOSFET的物理和电气特性波动的统计设备仿真
机译:掺杂物波动对SRG MOSFET器件和电路性能影响的仿真研究
机译:纳米级MOSFET,碳纳米管器件和集成电路的热和性能建模。
机译:以纳米MOSFET为基准的碳纳米管场效应晶体管的器件和电路级性能
机译:大型原子电路装置耦合模拟纳米CMOS数字电路中离散掺杂的特性波动的耦合模拟
机译:由量子效应引起的随机掺杂剂诱导阈值波动和低于100 nm mOsFET的降低:三维密度梯度模拟研究