Spruhbeschichtung stellt einen kostengunstigen und materialeffizienten aber komplexen Prozess dar. Um diese Vorteile fur die Abscheidung teurer organischer Halbleiter zu nutzen, wurde ein Spruhbeschichter entwickelt, der neueste Anforderungen an den Prozess erfullt. Zudem konnten selbstansaugende Mikrospruhdusen mikrotechnologisch in Silizium realisiert werden, welche bereits eine bis zu vierfache Materialeffizienz im Vergleich zu herkommlichen airbrush-Dusen nachweisen konnten [1]. Die neueste Dusengeneration zeigt nun eine weiter verbesserte Zerstaubung, was bei gespruhten OPDs zu einer reduzierten Dunkelstromdichte von 9,1·10~(-6) mA·cm~(-2) (-5 V) und erhohten externen Quanteneffizienz von 78,5 % (530 nm, -5 V) fuhrt.
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